Zellrisse in PV-Modulen erkennen: Methoden und Bewertung
Zellrisse in Solarmodulen: Klassifikation nach IEC TS 60904-13, Erkennungsmethoden EL/PL-Messung und Auswirkungen auf den Ertrag.
Von Redaktion Pvcheckpro · Redaktion · veröffentlicht am 27. Oktober 2025
Zellrisse: Ein häufiger und unterschätzter Defekt
Mikrorisse (englisch: Microcracks) in Solarzellen sind einer der häufigsten Defekte bei Photovoltaikmodulen. Studien zeigen, dass bis zu 30 % aller Module bereits unmittelbar nach dem Transport Mikrorisse aufweisen – verursacht durch mechanische Belastungen in der Lieferkette. Im Betrieb entstehen weitere Risse durch thermische Zyklen, Windlasten, Schneelast und Hagelschlag. Das Tückische: Mikrorisse sind von außen nicht sichtbar, können sich aber zu erheblichen Leistungsverlusten entwickeln.
Klassifikation von Zellrissen
Die Klassifikation von Mikrorissen erfolgt nach IEC TS 60904-13 und unterscheidet:
- Typ A (Harmlos): Riss parallel zur Busbar, ohne elektrische Unterbrechung
- Typ B (Beobachtung): Riss quer zur Busbar, mögliche partielle Zellabtrennung
- Typ C (Kritisch): Riss mit vollständiger Zellabtrennung; inaktive Zellfläche > 8 %
- Typ D (Schwerwiegend): Multiple Risse mit starker Zellzerfragmentierung
Entstehungsmechanismen
Zellrisse entstehen durch verschiedene Belastungsarten:
- Mechanisch (Fertigung/Transport): Ungleichmäßige Druckverteilung beim Laminieren, Vibration beim Transport
- Thermisch: Unterschiedliche Ausdehnungskoeffizienten von Zelle, Glas und EVA
- Wind- und Schneelasten: Dynamische und statische Belastung der Module
- Hagelschlag: Impaktbelastung durch Hagelkörner
- Montagefehler: Übermäßige Anzugsmomente oder falsche Klemmpositionen
Erkennungsmethoden im Detail
Für die Erkennung von Mikrorissen stehen folgende Methoden zur Verfügung:
- EL-Messung (Elektrolumineszenz): Goldstandard für Mikrorissdiagnose; zeigt Risse als dunkle Linien oder Bereiche
- PL-Messung (Photolumineszenz): Wie EL, aber mit Laserbeleuchtung statt Strominjektion; auch für nicht angeschlossene Module möglich
- UV-Fluoreszenz: Einige Rissmuster leuchten unter UV-Strahlung durch EVA-Abbauprodukte
- Hochauflösende Kamera: Für oberflächliche Risse auf dem Glas ausreichend; für interne Zellrisse nicht geeignet
Auswirkungen auf die Leistung
Die Leistungsauswirkung hängt vom Risstyp und -ausmaß ab:
- Typ A: 0 % Verlust (kein elektrischer Einfluss)
- Typ B: 1–5 % Leistungsverlust pro Modul
- Typ C: 5–15 % Leistungsverlust pro Modul
- Typ D: > 15 % Leistungsverlust, Bypassdioden-Aktivierung möglich
Progression von Mikrorissen
Ein wichtiger Aspekt: Mikrorisse können über die Zeit propagieren. Aus einem harmlosen Typ-A-Riss kann durch thermische Zyklen ein leistungsmindernder Typ-C-Riss werden. Daher ist bei der Erstinspektion die Klassifikation und bei Folgemessungen die Verifikation der Progression wichtig.
Dokumentation und Handlungsempfehlungen
Das Inspektionsprotokoll enthält für jeden identifizierten Riss:
- Modul-Seriennummer und Position im Modulfeld
- Risstyp nach IEC TS 60904-13
- Prozentsatz der inaktiven Zellfläche
- Messwerte aus IV-Kurve (Pmax, aktuell vs. Nennwert)
- EL-Bild als Anlage
- Handlungsempfehlung: Weiterbeobachten, Garantieanspruch prüfen oder Austausch
Fazit
Zellrisse sind ein häufiger, aber in vielen Fällen beherrschbarer Defekt. Die EL-Messung ist das unverzichtbare Werkzeug für ihre Diagnose. Eine systematische Klassifikation nach IEC TS 60904-13 ermöglicht eine faktenbasierte Entscheidung über Handlungsbedarf.